[뉴스웍스=박제성기자] 삼성전자가 중국 시안에 2기 반도체라인을 증설한다고 28일 발표했다. 

삼성전자는 이를 통해 3D V낸드플래시 메모리를 필요로 하는 글로벌 IT 시장요구에 적극대응 하겠다는 계획이다.

3D V낸드는 평면(2차원)위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높인 플래시메모리다.

지난해 8월 삼성전자는 중국 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 협약을 체결해 향후 3년간 총 70억 달러(약 7조5200억원)를 투자하기로 했다.

이번 제2기 반도체라인 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌모바일, IT업체들의 생산기지가 집중되어 있는 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국 시장요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.

또 시안시를 비롯한 산시성 지역경제 활성화 및 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다.

삼성전자는 28일(현지시간) 오전 중국 산시성 시안시에서 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국‧주시안 총영사, 김기남 삼성전자 대표이사 사장 등이 참석한 가운데 ‘V낸드플래시메모리 반도체 제2라인 기공식’을 열었다.

김기남 삼성전자 사장은 기념사에서 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장성장에 지속 기여 하겠다"고 말했다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 지난 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-낸드 양산 및 2015년 후(後)공정라인을 완공했다.