화합물 반도체 위에 페로브스카이트 적층, 태양전지 효율 높여
화합물 반도체 위에 페로브스카이트 적층, 태양전지 효율 높여
  • 문병도 기자
  • 승인 2020.01.19 12:00
이 기사를 공유합니다
박희준 한양대·이재진 아주대 교수 연구팀
흡수할 수 있는 빛을 다양화하여 전기에너지로의 변환효율을 높이기 위해 단파장 영역의 빛을 흡수하는 페로브스카이트 박막(위층)을 장파장 영역의 빛을 흡수하는 갈륨-비소 반도체의 결정 구조(아래층) 위에 적층한 구조(Advanced Energy Materials 커버 이미지, 출처 : 한양대학교 박희준 부교수)
흡수할 수 있는 빛을 다양화하여 전기에너지로의 변환효율을 높이기 위해 단파장 영역의 빛을 흡수하는 페로브스카이트 박막을 장파장 영역의 빛을 흡수하는 갈륨-비소 반도체의 결정 구조 위에 적층한 구조 (사진제공=박희준 한양대 부교수)

[뉴스웍스=문병도 기자] 실리콘 반도체의 약점을 극복하기 위해 유연한 화합물 반도체와 가성비 좋은 페로브스카이트 반도체가 만났다.

박희준 한양대·이재진 아주대 교수 연구팀이 갈륨과 비소로 만든 화합물 반도체(GaAs) 위에 페로브스카이트 반도체를 적층한 고효율 복층구조 탠덤 태양전지를 구현했다.

장파장 빛을 흡수하는 화합물 반도체 결정 위에 단파장의 빛을 흡수하는 페로브스카이트 박막을 적층, 보다 다양한 파장의 빛을 활용하도록 함으로써 전기에너지 변환효율을 높이는 방식이다.

두껍고 딱딱한 실리콘 반도체와 달리 화합물 반도체는 얇은 박막 형태로 빛을 흡수할 수 있어 경량화와 유연화에 유리하다.

자동차, 무인비행기, 웨어러블 기기 및 IoT 센서 등의 동력원으로 주목받는다.

화합물 반도체 제작에 높은 비용의 유기금속화학증착법이 이용되는 만큼 광변환효율을 높여 발전단가를 낮추는 것이 실용화의 관건이었다.

기존에도 단파장 빛을 흡수하는 인듐-갈륨-인(InGaP) 태양전지를 갈륨-비소 화합물 태양전지 위에 적층하여 효율을 높이려는 시도는 있었다. 인듐-갈륨-인 태양전지는 제작비용이 높고 복잡한 구조 때문에 오히려 발전단가를 상승시켰다.

연구팀은 저온 용액공정으로 손쉽게 제작할 수 있는 가성비 좋은 페로브스카이트 박막을 적층하는 방식으로 화합물 반도체 태양전지의 효용가치를 높이는 구조를 설계했다.

실제 연구팀이 구현한 복층구조의 태양전지를 적용한 결과 갈륨-비소 태양전지의 성능을 15% 이상 끌어올릴 수 있었다.

과학기술정보통신부, 교육부, 한국연구재단이 추진하는 기초연구사업 등의 지원으로 수행된 이번 연구의 성과는, 국제학술지 어드밴스드 에너지 머티리얼스에 19일 게재됐으며 표지논문으로 선정됐다.

박희준(왼쪽) 교수, 이재진 교수 (사진제공=연구재단)

기사제보 및 보도자료 press@newsworks.co.kr
<저작권자 © 뉴스웍스, 무단 전재 및 재배포 금지>
더 많은 기사 보기

댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.

  • 제호 : 뉴스웍스
  • 서울특별시 중구 마른내로 140 서울인쇄정보빌딩 4층
  • 대표전화 : 02-2279-8700
  • 팩스 : 02-2279-7733
  • 청소년보호책임자 : 고진갑
  • 고충처리인 : 최승욱
  • 법인명 : 뉴스웍스
  • 뉴스통신사업자 등록번호 : 문화관광부-나00011
  • 등록일 : 2007-07-26
  • 발행일 : 2007-07-26
  • 신문사업·인터넷신문사업 등록번호 : 서울, 아04459
  • 등록일 : 2017년 4월 17일
  • 회장 : 이종승
  • 편집·발행인 : 고진갑
  • 편집국장 : 최승욱
  • 뉴스웍스 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2020 뉴스웍스. All rights reserved. mail to webmaster@newsworks.co.kr
ND소프트