기자명 전다윗 기자
  • 입력 2020.07.02 17:22
SK하이닉스의 초고속 D램 'HBM2E' (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스의 초고속 D램 'HBM2E' (사진제공=SK하이닉스)

[뉴스웍스=전다윗 기자] SK하이닉스가 초고속 D램 'HBM2E'를 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월 만이다. 

SK하이닉스에 따르면 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품이다. 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리한다. 이는 현존하는 D램 솔루션 중 가장 빠른 정보 처리 속도다. 풀 HD급 영화(약 3.7GB) 124편을 1초 만에 전달할 수 있는 속도다.  

용량도 8개의 16기가비트 D랩 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 전 세대보다 2배 이상 늘었다. 

SK하이닉스 관계자는 "초고속·고용량·저전력이 특징인 HBM2E는 고도의 연산력을 요구하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 AI 시스템에 최적화된 메모리 솔루션"이라며 "이외에도 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 '엑사스케일' 슈퍼컴퓨터에 채용될 전망"이라고 설명했다. 엑사스케일 슈퍼컴퓨터는 초당 100경 번의 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨터다.  

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "이번 HBM2E 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 다지겠다"고 말했다. 
 

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