전력반도체용 SiC 소재 결함 분석 및 평가기술 개발
전력반도체용 SiC 소재 결함 분석 및 평가기술 개발
  • 문병도 기자
  • 승인 2021.03.08 11:58
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방욱·나문경 한국전기연구원 박사 연구팀
전력반도체용 SiC 소재 결함 분석 장비 (사진제공=전기연구원)

[뉴스웍스=문병도 기자] 방욱·나문경 한국전기연구원 전력반도체연구센터 박사팀이 전력반도체 소자의 시작점인 탄화규소 소재의 결함을 조기에 분석하고 평가할 수 있는 기술을 개발했다.

전력반도체는 전력이 필요한 곳이면 필수적으로 활용되는 산업의 중요 부품이다. 전류 방향을 조절하고 전력 변환을 제어하는 등 사람으로 치면 근육과도 같은 역할을 한다. 전기차에서 배터리와 전기모터를 연결하는 고성능 인버터에 필수적인 부품으로 활용되며 최근 많은 주목을 받고 있다.

유럽 시장조사기관 IHS 마켓 등에 따르면 SiC 전력반도체 시장은 지난해 약 7억 달러 수준에서 오는 2030년 약 100억 달러 규모로 연평균 32% 높은 성장세를 나타낼 것으로 전망했다.

전력반도체의 핵심인 제어 효율을 유지하는 소재는 기존 실리콘(Si)에서 탄화규소(SiC)로 대체되는 추세다.

우수한 열적·전기적 특성을 지닌 SiC는 뛰어난 내구성과 범용성, 동작 온도 및 속도, 높은 효율성 등을 자랑하며 기존 실리콘 전력반도체 시장을 빠르게 대체하고 있다.

하지만 SiC 소재는 재료 특성상 눈에 보이지 않는 내부의 결정 결함이 있어 반도체 소자의 성능을 저하시키는 주요 원인 중 하나로 손꼽힌다.

결정 결함은 워낙 복잡하고 규명하기 어려워 반도체 소자의 구동 초기부터 특성을 저하시키는 경우가 있고, 더 심각한 상황은 사용 중에 점차 특성이 변화되어 문제를 일으키는 경우도 있다.

우수한 성능의 SiC 전력반도체를 개발하는 것도 중요하지만, 추후 문제가 발생하지 않도록 결함을 검사하고, 각종 문제를 해결할 수 있는 분석 기술이 반드시 필요하다.

SiC 소재의 결함은 눈에 보이지 않고, 물질도 아주 단단하여 관찰 방법이 매우 어렵다.

SiC 소재 검사 장비는 일본이 세계시장 80% 이상을 점유할 정도로 기술 난이도와 진입장벽이 높다. 장비 비용도 고가이다 보니 국내에서는 일부 웨이퍼 표본으로 성능을 검사하는 수준에 그치고 있다.

KERI 연구팀은 광여기발광(PL) 현상을 이용해 SiC 소재의 결함을 검출하는 기술을 국내최초로 개발했다.

PL 분석법은 여기된 전자들이 다시 제자리로 돌아가는 단계에서 특정한 파장의 빛을 내게 되는 현상을 분석하는 것이다.

SiC 소재에 자외선(UV) 에너지를 보낸 뒤, 전자들이 내놓는 특정 파장을 분석하여 정상인지 아닌지를 판단하는 것이다.

나문경 KERI 박사는 "개발된 제품의 신뢰성과 품질을 확보할 수 있는 다양한 평가 방법을 개발하여 SiC 전력반도체의 '설계-공정-평가'까지 이어지는 통합 제작라인을 구축한 것"이라며 "지속적인 연구를 통해 평가 대상의 확대 및 분석기법의 다양화·정밀화가 이루어질 수 있도록 노력하겠다"라고 말했다.

정현진(왼쪽부터)·방욱·나문경 연구원이 기념촬영하고 있다. (사진제공=전기연구원)
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