[뉴스웍스=장진혁 기자] 삼성전자가 낸드플래시 부문에서 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했으며, 향후 1000단 낸드 시대도 주도할 것이라고 포부를 드러냈다.

송재혁 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 8일 삼성전자 뉴스룸을 통해 "이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황"이라면서 "삼성전자는 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것"이라고 강조했다.

낸드플래시 메모리는 데이터를 저장하는 용도의 반도체다. 송 부사장은 자사가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수라도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 설명했다.

삼성전자가 올해 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 다른 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기로, 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품의 크기가 더 작다는 의미다.

송 부사장은 "삼성전자는 업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 갖췄다"면서 "향후 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다"고 설명했다.

그러면서 "미래 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 V낸드는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것"이라고 덧붙였다.