기자명 전다윗 기자
  • 입력 2023.08.21 09:32
SK하이닉스 HBM3E. (사진제공=SK하이닉스)
SK하이닉스 HBM3E. (사진제공=SK하이닉스)

[뉴스웍스=전다윗 기자] SK하이닉스는 21일 "HBM3를 독점적으로 양산해 온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다"고 밝혔다.

이번 HBM3E는 속도 측면에서 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

이와 함께 SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식과 비교해 공정과 열 방출에 효과적인 것으로 평가받는다.

또 HBM3E는 하위 호환성도 갖춰 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(D램 상품 기획담당)은 "당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다"며 "앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다. 

 

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