[뉴스웍스=채윤정 기자] SK하이닉스가 5세대 HBM(고대역폭메모리)인 'HBM3E' D램을 세계 최초로 양산, 시장 선도 업체의 위상을 공고히 했다.

SK하이닉스는 지난해 8월 개발한 HBM3E를 7개월 만에 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 

SK하이닉스는 고객사를 공식적으로 밝히지는 않았지만, HBM3E를 미국 엔비디아에 공급하는 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 관계자는 "HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E도 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다"며 "HBM3E 양산을 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 이어가겠다”고 밝혔다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜 줄 현존 최적의 제품이 될 것이라고 SK하이닉스는 기대했다.

회사 측은 HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB의 데이터를 처리하며, 이는 풀HD급 영화(5GB) 230편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

또한 AI 메모리는 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.

SK하이닉스 류성수 부사장은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해 온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객 관계를 탄탄히 하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 굳히겠다”고 말했다. 

한편, SK하이닉스가 삼성전자보다 먼저 HBM3E를 선보임으로써 HBM 시장 1위 자리를 더욱 공고히 할 전망이다. 이에 대해 삼성전자 측은 "HBM3E를 상반기 양산할 계획"이라며 "아직 구체적인 시기를 공개하기 어렵다"고 밝혔다.