기자명 채윤정 기자
  • 입력 2024.03.20 13:24
경계현 삼성전자 사장이 20일 수원컨벤션센터에서 열린 삼성전자 주주총회에서 반도체 부문 사업 전략을 발표하고 있다. (사진=뉴스1)
경계현 삼성전자 사장이 20일 수원컨벤션센터에서 열린 삼성전자 주주총회에서 반도체 부문 사업 전략을 발표하고 있다. (사진=뉴스1)

[뉴스웍스=채윤정 기자] 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)이 "2~3년 내 반도체 분야에서 세계 1위를 되찾겠다"는 목표를 밝혔다. 

경 사장은 20일 수원컨벤션센터에서 개최한 '삼성전자 주주총회'에서 "올해는 삼성전자가 반도체 사업을 시작한 지 50년이 된 해"라며 "오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발(R&D)과 우수 인력 확보에 과감한 투자를 아끼지 않을 것"이라고 설명했다.

이어 "반도체연구소를 양적·질적 측면에서 지금의 두 배로 키울 계획"이라며 "R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획"이라고 밝혔다. 

경 사장은 "메모리 분야에서는 12나노미터(1nm=10억분의1m) 32Gb DDR5 D램을 활용한 128GB 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 고대역폭메모리(HBM) 선행을 통해 HBM3, HBM3E 시장 주도권을 되찾을 계획"이라고 말했다. 

그는 또 "D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도할 것"이라며 "첨단 공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보한다는 전략"이라고 밝혔다. 

그는 또한 "파운드리 분야는 업계 최초로 GAA 3나노 공정을 적용해 모바일 AP의 안정적 양산을 시작했고, 2025년에는 GAA를 2나노 선단 공정에 양산하는 것을 준비하고 있다"며 "RF 등 특수공정 완성도를 높이는 등 고객 포트폴리오도 확대할 생각"이라고 밝혔다. 

시스템LSI 사업부는 디스플레이구동칩(DDI), 전력관리반도체(PMIC) 사업 구조를 개선하고, 공급망관리(SCM) 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이라고 밝혔다. 

경 사장은 "시스템LSI사업부의 시스템온칩(SoC) 사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화할 것"이라며 "이미지센서는 일관 개발, 생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출에 나설 것"이라고 말했다.

경 사장은 또한 미래를 대비해 신사업에도 나설 계획이라고 공개했다. 

그는 "올해 2.5 제품으로 어드밴스드 패키지 사업에서 1억달러 이상 매출을 거둘 것"이라며 "실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 차세대 전력 반도체와 증강현실(AR) 글라스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 개발해 2027년 시장에 뛰어들 것"이라고 밝혔다. 

경 사장은 올해 글로벌 반도체 시장 규모를 6300억달러로 예상했다. 그는 "삼성전자 반도체 부분 매출은 2022년 수준을 회복할 것"이라며 "전체적인 시장 규모도 AI 급성장세에 힘입어 오는 2030년에 1조3000억달러로 커질 전망"이라고 말했다. 

올해 1분기 반도체 사업 실적은 양호할 것으로 봤다. 그는 "1월부터 반도체 사업이 적자를 벗어나 흑자 기조로 돌아섰다"며 "액수를 말하기 어렵지만, 1분기 실적이 올해 어느 정도 궤도에 오른 모습을 볼 수 있을 것"이라고 말했다. 

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