[뉴스웍스=고지혜 인턴기자] 지난해 4분기 어닝쇼크를 기록한 삼성전자가 여전히 '인위적 감산'은 없을 것이라는 입장을 분명히 했다. 올해 시설 투자도 전년 수준으로 유지할 계획이다.

31일 삼성전자는 지난해 4분기 실적 발표 후 열린 콘퍼런스콜에서 "메모리 반도체 사업에서 미래 기술리더십과 수요 대비를 위해 중장기 차원의 투자를 지속할 것"이라며 "최근 시황이 약세지만 미래를 철저히 준비할 좋은 기회라고 생각한다"고 밝혔다.

최대 관심사였던 메모리 반도체 감산 여부에 대해 기존 기조가 변하지 않았다는 뜻을 밝힌 셈이다.

지난해 인텔과 SK하이닉스 등 주요 반도체 업체들은 메모리 반도체 업황 둔화로 감산을 선언했지만, 삼성전자는 "인위적 감산은 없다"는 입장을 밝혀왔다. 하지만 삼성전자의 지난해 4분기 반도체 사업부 영업이익이 전년 동기 대비 97% 하락하면서, 업계에서는 삼성전자가 입장을 바꿔 감산에 나설 것이라는 전망이 제기됐었다. 

올해 시설투자도 전년과 비슷한 규모로 집행할 계획이다. 삼성전자는 "중장기 수요 대응을 위한 인프라 투자를 지속할 것이다. 결론적으로 올해 케펙스(설비투자)는 전년과 유사한 수준이 될 것"이라고 설명했다.

삼성전자의 지난해 4분기 시설 투자는 20조2000억원이다. 사업별로는 DS부문 18조8000억원, SDC 4000억원 수준이다. 연간으로는 53조1000억원이 집행됐다. DS 47조9000억원, SDC 2조5000억원이다.

이어 "극자외선(EUV) 노광장비 차별화 지속 외에도 올해 하반기 본격화 예상되는 고성능 고용량 메모리 반도체인 DDR5와 LPDDR5X 시장 대응을 위한 선단공정 전환이 포함될 것"이라며 "파운드리는 셸 퍼스트 전략으로 수요에 탄력적으로 대응할 것"이라고 말했다.

특히 삼성전자는 3나노 2세대 GAA 공정을 예정대로 2024년까지 양산할 것이라고 강조했다.

삼성전자는 "파운드리 사업부의 GAA 공정의 경우 3나노 1세대 공정은 안정적안 수율로 양산 중이고, 2세대 공정은 1세대 양산 경험을 기초로 빠르게 개발을 하고 있다"며 "다수의 모바일 고객사들의 관심이 증가하고 있다"고 말했다.

이어 "오토모티브향 공정은 5나노 양산에 이어 4나노 개발에 착수했다"며 "선단 공정에서 미래성장 동력을 마련했다"고 덧붙였다.